檢測(cè)流程

1、寄樣

2、免費(fèi)的初檢

3、報(bào)價(jià)表

4、兩方確認(rèn)，簽署保密協(xié)議書(shū)，開(kāi)使試驗(yàn)

5、7-10個(gè)工作日左右完成試驗(yàn)

6、中后期服務(wù)，郵寄檢測(cè)報(bào)告!

我們的檢測(cè)有哪些優(yōu)勢(shì)?

產(chǎn)品評(píng)估：成分分析，分析成分比例，改善生產(chǎn)缺陷，提升產(chǎn)品品質(zhì)性能

政府監(jiān)管：工商檢測(cè)，市場(chǎng)監(jiān)督，項(xiàng)目投標(biāo)招標(biāo)，申請(qǐng)退稅基金等

上市品控：保證自己的產(chǎn)品能順利進(jìn)入各種電商品臺(tái)，商超等

打通市場(chǎng)：增強(qiáng)企業(yè)的認(rèn)知可信度，擴(kuò)大市場(chǎng)占有率，提高企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，彰顯產(chǎn)品品質(zhì)

工業(yè)診斷：為您解決工藝、材料中的未知物定性定量分析服務(wù)

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)參考

GB/T 30656-2014碳化硅單晶拋光片

GB/T 30866-2014碳化硅單晶片直徑測(cè)試方法

GB/T 30867-2014碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測(cè)試方法

GB/T 30868-2014碳化硅單晶片微管密度的測(cè)定 化學(xué)腐蝕法

GB/T 31351-2014碳化硅單晶拋光片微管密度無(wú)損檢測(cè)方法

GB/T 32278-2015碳化硅單晶片平整度測(cè)試方法

SJ/T 11499-2015碳化硅單晶電學(xué)性能的測(cè)試方法

SJ/T 11500-2015碳化硅單晶晶向的測(cè)試方法

SJ/T 11501-2015碳化硅單晶晶型的測(cè)試方法

SJ/T 11502-2015碳化硅單晶拋光片規(guī)范

SJ/T 11503-2015碳化硅單晶拋光片表面粗糙度的測(cè)試方法

SJ/T 11504-2015碳化硅單晶拋光片表面質(zhì)量的測(cè)試方法

SJ 20858-2002碳化硅單晶材料點(diǎn)學(xué)參數(shù)測(cè)試方法

SJ 21122-2016PVTSiC76SI1-BP01型碳化硅單晶拋光片規(guī)范

SJ 21441-2018SiC-HPSI 型高純半絕緣碳化硅單晶片規(guī)范

T/IAWBS 001-2017碳化硅單晶

T/IAWBS 005-20186 英寸碳化硅單晶拋光片

T/IAWBS 010-2019碳化硅單晶拋光片表面質(zhì)量和微管密度檢測(cè)方法-激光散射檢測(cè)法

T/IAWBS 011-2019導(dǎo)電碳化硅單晶片電阻率測(cè)量方法—非接觸渦流法

T/IAWBS 012-2019碳化硅單晶拋光片表面質(zhì)量和微管密度測(cè)試方法 ——共焦點(diǎn)微分干涉光學(xué)法