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半導體集成電路電壓比較器檢測

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半導體集成電路電壓比較器檢測
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檢測流程

1、寄樣

2、初檢樣品

3、報價

4、雙方確定,簽訂保密協(xié)議,開始實驗。

5、結(jié)束實驗

6、郵寄檢測報告

檢測標準

半導體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.1

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微電子器件試驗方法和程序GJB 548C-2021 1015.1

檢測項目

輸入失調(diào)電壓VIo,輸入失調(diào)電流lIO,輸入偏置電流lIB,開環(huán)電壓增益AVD,正電源電流!+,負電源電流l,靜態(tài)功耗PD,共模抑制比KCMR,輸出低電平電壓VOL,高電平輸出電流IOH,低電平輸出電流IOL,鍵合強度,剪切強度,耐溶劑性,可焊性,鍵合強度(破壞性鍵合拉力試驗),老煉試驗,穩(wěn)態(tài)壽命,引線車固性,溫度循環(huán),耐濕,密封,機械沖擊,掃頻振動,恒定加速度,鹽霧(鹽汽),靜電放電敏感度的分級,粒子碰撞噪聲檢測試驗,高溫貯存

檢測周期:7-15個工作日,試驗可加急

檢測樣品:半導體集成電路電壓比較器

哪里可以做半導體集成電路電壓比較器檢測?試驗項目:輸入失調(diào)電流lIO,輸入偏置電流lIB,開環(huán)電壓增益AVD,正電源電流!+,負電源電流l,靜態(tài)功耗PD,共模抑制比KCMR,輸出低電平電壓VOL,高電平輸出電流IOH,低電平輸出電流IOL,鍵合強度,剪切強度,耐溶劑性,可焊性,鍵合強度(破壞性鍵合拉力試驗),老煉試驗
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